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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法和平板模型研究了CH3SH分子在Cu（111）表面的吸附反应．系统地计算了S原子在不同位置以不同方式吸附的一系列构型，第一次得到未解离的CH3SH分子在Cu（111）表面项位上的稳定吸附构型，该构型吸附属于弱的化学吸附，吸附能为O．39eV．计算同时发现在热力学上解离结构比未解离结构更加稳定．解离的CH3S吸附在桥位和中空位之间，吸附能为0．75-0．77eV．计算分析了未解离吸附到解离吸附的两条反应路径，最小能量路径的能垒为0．57eV．计算结果还表明S—H键断裂后的