槽栅MOS器件的研究与进展

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【摘要】

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随产丰ＶＬＳＩＫ器件尺寸越来越小，槽栅ＭＯＳ器件被作为在深亚微９米及亚０．１范围极具应用前景的理想同出来。文中介绍了槽顺件提出的背景，论述了槽栅ＭＯＳ器件的结构与特点，并就其发展现状和趋势以及存在

【作者】

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【机构】

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西安电子科技大学微电子研究所

【出处】

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微电子学

【发表日期】

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2000年4期

【关键词】

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随产丰ＶＬＳＩＫ器件尺寸越来越小，槽栅ＭＯＳ器件被作为在深亚微９米及亚０．１范围极具应用前景的理想同出来。文中介绍了槽顺件提出的背景，论述了槽栅ＭＯＳ器件的结构与特点，并就其发展现状和趋势以及存在的问题进行了概括和总结。

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