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提出了一种基于0.35μm BCD工艺的电平位移电路.该电路使用了耐压5V的CMOS器件.通过对常规电平位移电路进行分析,提出了优化改善的电平位移电路.电路仿真结果显示,与常规的电平位移电路相比,改进的电路具有功耗低、输出电平稳定可靠等特点.
一种低功耗的电平位移电路
【摘 要】
：
提出了一种基于0.35μm BCD工艺的电平位移电路.该电路使用了耐压5V的CMOS器件.通过对常规电平位移电路进行分析,提出了优化改善的电平位移电路.电路仿真结果显示,与常规的电
【机 构】
：
电子科技大学
【出 处】
：
电子产品世界
【发表日期】
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2018年10期
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