【摘 要】
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采用氩离子刻蚀加退火获得了CdTe(111)A清洁表面。分析了角分辨光电子能谱和反射式高能电子衍射花样。结果表明:晶面经清洁处理后出现了局域台阶,而刻蚀力度局部的差别造成宏
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采用氩离子刻蚀加退火获得了CdTe(111)A清洁表面。分析了角分辨光电子能谱和反射式高能电子衍射花样。结果表明:晶面经清洁处理后出现了局域台阶,而刻蚀力度局部的差别造成宏观不平整。另外,表面没有明显的三维凸起等不平整的原子结构,在二维尺度上平整有序。
A clean surface of CdTe (111) A was obtained by argon ion etching plus annealing. Analyzed the angular resolution photoelectron spectroscopy and reflection high energy electron diffraction pattern. The results show that the local step of the crystal plane appears after cleaning, and the local difference of the etching intensity causes the macro unevenness. In addition, the surface is not obvious three-dimensional bump uneven atomic structure, two-dimensional scale formation and orderly.
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