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利用传输矩阵研究结构为(AB)n D(BA)n和(AB)n DF(BA)n的一维光子晶体透射特性,其中D和F层均为旋磁材料,通过改变其外加磁场,分析其对透射率的影响.结果表明:随着外加磁场强度的变化,可产生和消灭缺陷模,且缺陷模的位置、数目以及缺陷模的光谱宽度均发生变化.表明通过改变外加磁场强度可实现光子晶体透射的可调节性.