【摘 要】
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随着大规模集成电路工艺技术的发展,针对越来越小的加工尺寸,在半导体刻蚀工艺中对亚微米及以下尺寸首选的蚀刻方式就是反应离子刻蚀,以其各向异性实现细微图形的转换。鉴于
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随着大规模集成电路工艺技术的发展,针对越来越小的加工尺寸,在半导体刻蚀工艺中对亚微米及以下尺寸首选的蚀刻方式就是反应离子刻蚀,以其各向异性实现细微图形的转换。鉴于工艺上的要求,须将整个硅片表面的高低起伏全部抛光打磨成理想厚度,即平坦化工艺,这就需要研究反应离子蚀刻中二氧化硅刻蚀速率和均匀性的影响。通过反应离子刻蚀速率研究相关实验得出数据,再对薄膜厚度进行测量,最终定量计算出刻蚀速率和均匀性等参数,确定最佳的工艺条件。
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