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宽带隙GaN基材料具有临界击穿场强高、峰值电子漂移速度高以及抗腐蚀、耐高温等优异的物理、化学性质,是研制高性能的固态毫米波器件的优选材料。AlGaN/GaNHEMT器件由于高浓度的二维电子气以及高的电子迁移率特性,使其在获得和GaAsPHEMT同样频率特性的基础下可以获得更高的输出功率密度,