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在简要分析二维位敏探测器工作原理的基础上, 详细介绍了一种大面积枕型二维位敏探测器的结构设计和制作工艺。对器件响应度、暗电流、位置分辨率, 以及位置线性度等性能参数进行了分析。测试结果显示, 器件在峰值波长λp=930nm处的响应度达0.63A/W, 暗电流小于300nA(VR=10V), 位置分辨率小于10μm, 位置非线性度小于5%。