硅的中子嬗变掺杂

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<正> 早在1951年,Lack-Horowitz就提出核反应可作为半导体材料硅的一种掺杂方法。六十年代初期,Tanenbaum等人进行了实验,指出中子嬗变掺杂(简称NTD)可以得到电阻率均匀的N型硅。然而,由于当时硅材料本身纯度较低,以及一些实验条件的限制,此法未引起人们的注意。直到1973年,才受到重视,并迅速发展,广泛地应用在高阻断电压的可控硅和整流器、辐射探测器、大规模集成电路和硅靶摄像管等元
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