论文部分内容阅读
采用基于密度泛函理论（DFT）框架下广义梯度近似（GGA）的PBE平面波超软赝势方法。研究了闪锌矿型CdS和Zno1-xSx。（x=O，0．25，0．5。0．75。1）的电子结构和光学特性。计算并分析了闪锌矿型CdS和Zno1-xSx的复介电函数、光电导率、吸收系数和损失函数。研究结果表明。闪锌矿型CdS和Zno1-xSx（x=0。0．25。0．5，0．75,1）均为直接带隙半导体材料。ZnO中一定浓度的硫掺杂，导致带隙宽度变窄。而晶格常数随掺杂基本呈线性变化。就目前制备铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池