浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析

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【摘要】

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比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同,分析了其不同的原因.与SRAM相比,浮栅ROM器件出错时的14MeV中子注量阈值高5个量级;31.9MeV质子注量阈值高4个量级;总剂

【作者】

：

贺朝会耿斌杨海亮陈晓华李国政王燕萍

【机构】

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西北核技术研究所

【出处】

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电子学报

【发表日期】

：

2003年8期

【关键词】

：

FLASH ROM EEPROM SRAM 单粒子效应总剂量效应 Radiation effects Random access storage ROM St

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比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同,分析了其不同的原因.与SRAM相比,浮栅ROM器件出错时的14MeV中子注量阈值高5个量级;31.9MeV质子注量阈值高4个量级;总剂量损伤阈值相差不大,都在104rad(Si)量级左右.这些都是由二者存储单元的结构和辐射效应机制决定的.在空间辐射环境中,不需经常擦写数据的情况下,应该选用浮栅ROM器件.

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