高速等离子体付蚀

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在硅集成电路制造技术中、铝膜付蚀是所有付蚀工艺中最重要的。用液体付蚀工艺,由于汽泡引起铝条间的桥接,在台阶处己经很薄的断面更薄,以及钻蚀都是众所周知的问题。因此,电路布局设计规则在很大程度上取决于铝膜付蚀的质量。 In the silicon integrated circuit manufacturing technology, aluminum etching is the most important of all the etching process. With the liquid erode process, thinner sections at the steps are thinner due to the bubble bridging between the aluminum bars and drilling is a well-known problem. Therefore, the circuit layout design rules largely depend on the quality of aluminum film corrosion.
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