【摘 要】
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开发出一种七次光刻 V-MOS 工艺,用来制造有自对准V-MOS 晶体受及平面铝栅晶体受的动态 RAM。利用4微米设计规则的光刻制版技术时,单受单元的面积为150um~2。位线上的有效信
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开发出一种七次光刻 V-MOS 工艺,用来制造有自对准V-MOS 晶体受及平面铝栅晶体受的动态 RAM。利用4微米设计规则的光刻制版技术时,单受单元的面积为150um~2。位线上的有效信号大于200mV。读出放大器和守线驱动器的设计制造表明,这些电路决定了字、位线的最小间距。本文最后介绍一种64K RAM,采用4微米设计规则,芯片面积21mm~2。
Developed a seven-lithography V-MOS process for the manufacture of dynamic RAM with self-aligned V-MOS crystals and flat aluminum gate crystals. The use of 4 micron design rules lithography plate technology, the single unit area of 150um ~ 2. The valid signal on the bit line is greater than 200mV. The design and manufacture of sense amplifiers and keep-watch drivers show that these circuits determine the minimum word and bit line spacing. This article concludes with a 64K RAM, 4-micron design rule, and a chip area of 21mm-2.
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