【摘 要】
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反向击穿电压是半导体元件的重要参数之一,它直接关系到管子的安全使用问题。利用晶体管图示仪,虽然可以测量电子元件的反向击穿电压,但由于集电极扫描信号峰值电压低(0～200V
【机 构】
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河南省洛阳师范高等专科学校,河南省洛阳师范高等专科学校 471200,471200
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反向击穿电压是半导体元件的重要参数之一,它直接关系到管子的安全使用问题。利用晶体管图示仪,虽然可以测量电子元件的反向击穿电压,但由于集电极扫描信号峰值电压低(0～200V),不能用来测量高反压元件的击穿电压。为此我们设计制作了半导体元件参数测量仪。
Reverse breakdown voltage is one of the important parameters of semiconductor devices. It is directly related to the safe use of the tube. Although the reverse breakdown voltage of the electronic component can be measured using a transistor graphic device, the peak voltage of the collector scan signal is low (0 to 200 V) and cannot be used to measure the breakdown voltage of a high back pressure component. For this reason we designed and manufactured a semiconductor device parameter measuring instrument.
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