【摘 要】
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采用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了P_2S_5/NH_4OH钝化液处理的GaAs(100)表面的微观特性。AES测量表明,在钝化膜和GaAs衬底之间的界面处无O组分,只有P和S组
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所 北京,100083 中国科学院物理研究所表面物理国家重点
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采用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了P_2S_5/NH_4OH钝化液处理的GaAs(100)表面的微观特性。AES测量表明,在钝化膜和GaAs衬底之间的界面处无O组分,只有P和S组分。XPS测量分析指出,经过P_2S_5/NH_4OH溶液处理后,GaAs表面处Ga_2O_3和As_2O_3氧化物消失了,而生成硫化镓和硫化砷。于是,降低了表面电子态密度,改善了GaAs表面的电学和光学性能。
The micro-properties of GaAs (100) surface treated with P_2S_5 / NH_4OH passivation solution were studied by Auger electron spectroscopy (AES) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). AES measurements show that there is no O component at the interface between the passivation film and the GaAs substrate, only the P and S components. XPS measurement analysis pointed out that after P 2 S 5 / NH 4 OH solution treatment, Ga 2 O 3 and As 2 O 3 oxide disappeared at the surface of GaAs to generate gallium sulfide and arsenic sulfide. As a result, the surface electron density is reduced and the electrical and optical properties of the GaAs surface are improved.
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