GaAs（331）A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制

来源 :红外 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kevingod1981

【摘要】

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采用分子束外延方法在GaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs量子线(QWR)或者三维(3D)岛状结构.InAs量子线(QWR)选择性生长在GaAs层的台阶边缘.通过原子力显微镜(AFM)仔细研

【作者】

：

苗振华龚政方志丹倪海侨牛智川

【机构】

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中国科学院半导体研究所

【出处】

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红外

【发表日期】

：

2004年9期

【关键词】

：

分子束外延砷化镓砷化铟纳米结构原子力显微镜 <Keyword>molecular beam epitaxy surface morphol

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采用分子束外延方法在GaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs量子线(QWR)或者三维(3D)岛状结构.InAs量子线(QWR)选择性生长在GaAs层的台阶边缘.通过原子力显微镜(AFM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件如衬底温度、生长速率和InAs层厚度等,对InAs表面形貌有很大的影响.低温更容易导致线状纳米微结构的形成,而高温更利于3D岛状结构形成.表面形貌的转变归结于表面能同应变能之间的竞争.

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