【摘 要】
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试验证明,利用非热平衡态的直流等离子体,可使 TiN 的化学气相沉积温度山普通 CVD 的1000℃左右降到500℃左右,膜的硬度达2000kg/mm~2(维氏)以上。研究了气压、气体配比及放
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试验证明,利用非热平衡态的直流等离子体,可使 TiN 的化学气相沉积温度山普通 CVD 的1000℃左右降到500℃左右,膜的硬度达2000kg/mm~2(维氏)以上。研究了气压、气体配比及放电参数对膜沉积速度、硬度及结构的影响。
Experiments show that the use of non-thermal equilibrium DC plasma can make the chemical vapor deposition temperature of TiN ordinary CVD down to about 500 ℃, the film hardness of 2000kg / mm ~ 2 (Vickers) above. The effects of pressure, gas ratio and discharge parameters on the deposition rate, hardness and structure of the films were investigated.
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