【摘 要】
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SOI(Silicon-On-Insulator)高压LDMOS(Lateral Double Diffusion Metal Oxide Semicon-ductor)作为高压集成电路的核心器件,广泛应用于模拟开关、栅驱动及电源管理电路中.通过TCAD仿真软件,开展SOI高压LDMOS器件的单粒子敏感点及器件烧毁机理研究.器件在重离子的影响下产生大量的离化电荷,并在电场作用下发生漂移运动,从而诱发寄生三极管开启,导致器件发生单粒子烧毁(Single Event Burnout,SEB)效应而失效.采取脉
【机 构】
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电子科技大学电子科学与工程学院,成都 611731;电子科技大学电子科学与工程学院,成都 611731;电子科学大学广东电子信息工程研究院,广东东莞 523000;中科芯集成电路有限公司,江苏无锡 2
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SOI(Silicon-On-Insulator)高压LDMOS(Lateral Double Diffusion Metal Oxide Semicon-ductor)作为高压集成电路的核心器件,广泛应用于模拟开关、栅驱动及电源管理电路中.通过TCAD仿真软件,开展SOI高压LDMOS器件的单粒子敏感点及器件烧毁机理研究.器件在重离子的影响下产生大量的离化电荷,并在电场作用下发生漂移运动,从而诱发寄生三极管开启,导致器件发生单粒子烧毁(Single Event Burnout,SEB)效应而失效.采取脉冲激光对SOI高压LDMOS器件的单粒子敏感点进行辐射试验,试验结果表明脉冲激光能量为2nJ时,SOI高压LDMOS器件未发生SEB效应,验证了脉冲激光模拟试验评估SOI LDMOS器件抗SEB能力的可行性.
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