目的:比较精神分裂症患者与正常人在参量变化的工作记忆负荷水平下所诱发的ERP成分及其脑区分布差异,探讨精神分裂症患者工作记忆功能损害的神经机制。方法:精神分裂症患者以及正常对照各20名参加了n-back(n=0,1,2)工作记忆任务的ERP实验,同时记录行为数据及EEG,离线处理数据。结果:精神分裂症患者在1-back及2-back任务中行为表现明显较正常人差(P<0.01)。正常人P3波幅随记忆负荷增长而成比例下降(0-back>1-back>2-back),而精神分裂症患者仅0-back的P3波幅显著高于1-back及2-back,(0-back>1-back=2-back)。三种负荷条件下,精神分裂症组中央区的P3峰值均显著高于正常组,而2-back条件下的顶区P3峰值显著高于正常组。高记忆负荷与低记忆负荷的任务相减均得到一差异波N450成分。在顶区,精神分裂症患者的1-0差异波N450成分的波幅显著高于正常组,而2-1差异波N450成分的波幅显著低于正常组(P<0.05)。结论:精神分裂症患者存在显著的工作记忆损害,其中短时贮存功能损害可能与患者顶叶的生理低效能及工作记忆容量下降有关。