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利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射技术在200℃成功制备出多晶硅薄膜。详细介绍了等离子体源辅助磁控溅射技术制备多晶硅的工艺过程,并对辅助等离子体源放电功率对硅薄膜结晶度的影响进行了研究。利用拉曼散射、X射线衍射、傅里叶红外光谱对所制备的硅薄膜进行了表征。
等离子体源辅助磁控溅射法低温(200℃)制备多晶硅薄膜
【摘 要】
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利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射技术在200℃成功制备出多晶硅薄膜。详细介绍了等离子体源辅助磁控溅射技术制备多晶硅的工艺过程,并对辅助等离子体源放电功率
【机 构】
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三束材料表面改性教育部重点实验室大连理工大学,日新电机-大连理工大学联合研发中心,
【出 处】
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真空
【发表日期】
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2012年03期
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