高T_C GdBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜2×4阵列式微桥器件研究

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用高TCGdBa2Cu3O7-δ薄膜研制了面微桥型2×4阵列式Bolometer芯片。实验发现,当减少高TCGdBa2Cu3O7-δ薄膜的厚度时,这种芯片上的微桥呈现出与双晶晶界型微桥异常相似的Ⅰ-Ⅴ特性。 The surface micro-bridge type 2 × 4 array Bolometer chip was fabricated with high TCGdBa2Cu3O7-δ film. It was found that when the thickness of the high TCGdBa2Cu3O7-δ thin film was reduced, the micro-bridge on this chip exhibited the Ⅰ-Ⅴ characteristic similar to that of the double-grain boundary micro-bridge.
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