STI应力对CMOS器件影响的模拟研究

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:JESSEA11
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浅沟槽隔离(STI)工艺由于具有制程温度低、无鸟嘴效应、表面平坦化好等优点而成为MOS器件的主要隔离技术。使用TCAD软件分别对采用65 nm工艺具有不同STI宽度(WSTI)的nMOS/pMOS器件进行了工艺和器件仿真。结果表明,当WSTI=0.2μm时,压应力值为-30 MPa;当WSTI=0.75μm时,压应力值为-136 MPa,沟道中的压应力随STI宽度的增加而逐渐变大;当WSTI从0.2μm增大到0.75μm时,nMOS的Idsat降低了约7.1%,pMOS的Idsat提高了约6.67%,即随着STI宽度的增加nMOS的Idsat降低,pMOS的Idsat增加。因此,在版图设计中,可以通过改变STI宽度的方法来提高器件的性能。另外,在器件模型中应考虑加入WSTI参数,以达到对电路性能更精确的仿真。
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