【摘 要】
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研究了用能量为3.0keV～4.0 keV,束流为80mA～200mA的低能氮和氩离子束对Ti膜进行轰击的作用以及用低能氮离子束对真空电弧沉积Ti-N膜层辅助沉积作用.结果表明:用低能氮离子束对T
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研究了用能量为3.0keV～4.0 keV,束流为80mA～200mA的低能氮和氩离子束对Ti膜进行轰击的作用以及用低能氮离子束对真空电弧沉积Ti-N膜层辅助沉积作用.结果表明:用低能氮离子束对Ti膜进行轰击可以形成Ti2N相,在(204)晶面出现一定的择优取向,并对Ti膜层有一定的强化作用;在低能氮离子束对真空电弧辅助沉积过程中,膜层表现为较高的显微硬度;随低能离子束能量的增大,真空电弧沉积膜层中Ti2N相增多,在(002)晶面出现择优取向,膜层晶粒有粗化的趋势,但显微硬度却增加,这与Hall-Petc
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