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建立了双面抛光过程中硅片表面上的一点相对于抛光布的运动模型；利用数学软件，模拟出不同速度下的运动轨迹。轨迹和实验结果表明，在其他双面抛光工艺不变的情况下，改变抛光机四个部分的转速，对硅片表面的平整度有很大的影响，特别是边缘部分的局部平整度。优化四个转速，可以显著改善300mm硅片表面的平整度和局部平整度。