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制备了以GeO2为基础的6个Er3+与Yb3+共掺杂样品,并测试了它们在858 nm半导体激光和930 nm二极管激光激发下的荧光谱,测量发现,在930 nm二极管激光激发下各样品的荧光强度较之858 nm半导体激光激发下的荧光强度普遍要强,且Ge4,Ge5两样品较之其余四个样品在两种光源的激发下的绿光段的荧光强度要强的多,且用肉眼在白天即可见到很强的绿光.简单分析了它们的上转换机制.