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隧穿氧化层在闪存器件中占有关键的地位,它极大地影响着闪存器件的循环擦写以及保持电子的能力。在形成隧穿氧化层的制程中,通常会通过加入氮化技术去提高隧穿氧化层的可靠性,但是这种工艺会给外围器件的栅氧化层带来负面影响。通过工艺方面的优化提出了一种较为简易的方法去消除由于氮化技术带来的对外围器件栅氧化层的影响。通过实验发现用过量湿法蚀刻可以很好地消除隧穿氧化层氮化技术的影响,提高了外围器件栅氧化层的可靠性。