光致变色多阶游程光存储研究

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多阶游程存储是一种不改变光学系统而显著提高光存储容量和数据传输率的新方法.介绍了光致变色多阶游程存储原理和实验系统.提出了基于光致变色原理的多阶游程存储数学模型,该模型反映了记录符反射率与曝光功率、曝光时间之间的非线性关系,并在此基础上确定了光致变色多阶游程存储的写策略.基于650nm光致变色材料进行了4阶游程存储的动态实验.结果表明,实验中采用的650nm光致变色材料可用于多阶游程存储,采用的写策略能够有效地使记录信道线性化,利于采用适合线性系统的信号处理方法. Multi-stage run-length storage is a new method that can significantly improve the optical storage capacity and data transfer rate without changing the optical system.The multi-stage photochromic run-length storage principle and experimental system are introduced.The multi-stage runlength based photochromism principle The mathematical model is stored, which reflects the non-linear relationship between the record reflectivity and the exposure power and the exposure time, and on the basis of which the write strategy for multi-order photochromic storage is determined.According to the 650nm photochromic material The results show that the 650 nm photochromic material used in the experiment can be used for multi-stage run-length storage. The write strategy can effectively linearize the recording channel and facilitate the signal processing method suitable for the linear system .
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