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利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.本文对样品中缺陷的类型、密度和分布等情况进行了描述和讨论.
大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷
【摘 要】
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利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.
【机 构】
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河北工业大学信息功能材料研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2007年z1期
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:60276009)和河北工业大学博士科研启动基金资助项且
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