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<正> 绝缘衬底上高质量亚微米厚硅单晶膜的获得对于制成高速度、高集成度、低功能和抗辐射的集成电路十分重要.蓝宝石上外延硅膜的生长和其CMOS/SOS集成电路的研究已为国内外学者所重视.然而氧化钇稳定的氧化锆(Yt-tria-Stabilized cubic Zirconia简称 YSZ)上异质外延硅膜(Silicon on Ziroonia简称SOZ)的性能比SOS材料更好.这是因为,第一,立方结构YSZ与金钢石结构硅的晶格失配比SOS为小.第二,Zr,和Y元素不是电活性或弱电活性元素,故外延