【摘 要】
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研究了聚焦重离子束溅射制备同位素靶的材料利用率和均匀性。通过实验确定了两种溅射距离（7 mm和14 mm）下沉积靶的纵向和横向厚度分布,确定了提高靶均匀性的有效方法——基衬公
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研究了聚焦重离子束溅射制备同位素靶的材料利用率和均匀性。通过实验确定了两种溅射距离（7 mm和14 mm）下沉积靶的纵向和横向厚度分布,确定了提高靶均匀性的有效方法——基衬公转和沉积1/2厚度后基衬调头,确定了匹配材料利用率和均匀性的最佳几何参数。制备了5种同位素氧化物靶和9种高熔点金属同位素靶,应用于核物理测量实验。实验表明,源-衬距离为7 mm和14 mm时,在9 mm×10 mm成膜区域内,基衬中心距靶（源）材料水平界面垂直距离为9 mm和11 mm时可获得均匀的靶膜和最高的材料利用率。
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