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为了简化多电磁线圈MWECR—CVD装置，提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合，以形成所需的新型磁场，这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方，显著提高了等离子体的能量密度，应用这种新型磁场的MWECR—CVD装置沉积氢化非晶硅薄膜，与采用单电磁线圈或双电磁线圈时相比，薄膜沉积速度大幅度提高，沉积速度达到采用传统RF—PECVD装置时的数倍至十倍。