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cBN薄膜的CVD制备是一个很受关注的课题.本文研究了ECR-CVD系统的等离子体特性,并在Si(100)衬底上进行了BN薄膜的生长实验,初步获得了cBN含量约为23.8%的BN薄膜;分析了H2在CVD生长cBN中的影响.
ECR-CVD法制备BN薄膜
【摘 要】
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cBN薄膜的CVD制备是一个很受关注的课题.本文研究了ECR-CVD系统的等离子体特性,并在Si(100)衬底上进行了BN薄膜的生长实验,初步获得了cBN含量约为23.8%的BN薄膜;分析了H2在CV
【机 构】
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北京工业大学材料学院
【出 处】
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材料科学与工程学报
【发表日期】
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2000年z2期
【基金项目】
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国家自然科学基金,北京市自然科学基金,北京市科技新星计划和北京市科技骨干培养基金资助项目
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