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介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理，设计了一种依靠电流驱动的驱动电路，整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于16Kb以及1Mb容量的相变存储器芯片的设计，并采用中芯国际集成电路制造（上海）有限公司的0．18μm标准CMOS工艺实现。该驱动电路通过Hspice仿真，表明带隙基准电压、偏置电流均具有较高的精度，取得了良好的仿真结果，在16Kb相变存储器芯片测试中，进一步验证了以上仿真结果。