三源真空蒸发CuInSe_2薄膜的性能

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lishine369

【摘要】

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详细分析讨论了用三源真空蒸发法制取CuInSe2薄膜过程中，源温、衬底温度及Cu，In原子比值对薄膜性能的影响。 The effects of source temperature, substrate temperature and

【作者】

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涂洁磊刘祖明廖华陈庭金王东城

【机构】

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云南师范大学!昆明,650092,云南师范大学!昆明,650092,云南师范大学!昆明,650092,云南师范大学!昆明,650092,云南师范大学!昆明,650092

【出处】

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半导体光电

【发表日期】

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1998年02期

【关键词】

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薄膜性能 CuInSe_2薄膜真空蒸发三源半导体薄膜衬底温度转换效率电池效率沉积膜晶粒尺寸

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详细分析讨论了用三源真空蒸发法制取CuInSe2薄膜过程中，源温、衬底温度及Cu，In原子比值对薄膜性能的影响。 The effects of source temperature, substrate temperature and atomic ratio of Cu and In on the properties of CuInSe2 films prepared by three-source vacuum evaporation were analyzed in detail.

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