团簇V3BP成键及活性位点的研究

来源 :辽宁科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fencer_2000
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
密度泛函理论结合拓扑学原理,在B3LYP/Lan12dz水平下对团簇V3BP各个可能构型进行优化和频率计算,现对其成键、轨道贡献及活性位进行研究。结果表明金属-非金属键(V-P、V-B)是团簇V3BP稳定性的主要贡献者。金属原子V是团簇V3BP潜在的活性位点。构型1(4)~5(4)化学稳定性好,构型10(2)的反应活性好,多重度对相同构型团簇的化学反应活性有一定的影响。
其他文献
基于密度泛函理论在B3LYP/Lanl2dz水平下的团簇Ti3B2的优化构型,对其从HOMO、LUMO轨道贡献、能隙差值以及Fermi能级图等方面来研究其催化活性位点、化学反应活性及催化活性。
针对一类带有不匹配外部扰动、非线性参数不确定性和执行器故障的线性系统,提出一种基于自适应容错技术的H∞控制方案。所设计的变增益容错控制器既可以对外部扰动具有良好的
为深入了解非晶态合金Ni-Co-P的性质,以团簇Ni3CoP为模型,基于密度泛函理论对其进行多方面的分析,包括稳定存在的构型、各构型所占比例、各种能量参数等以探究其稳定性,发现