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采用ICP-98型高密度等离子体刻蚀机进行了厚SiO2陡直刻蚀技术的研究，利用双层掩膜技术解决了“微掩膜现象”问题，刻蚀获得12．4μm的陡直SiO2光波导剖面，并将这一刻蚀技术用于阵列波导光栅的制作中。
适用于阵列波导光栅制作的厚SiO2陡直刻蚀技术
【摘 要】
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采用ICP-98型高密度等离子体刻蚀机进行了厚SiO2陡直刻蚀技术的研究，利用双层掩膜技术解决了“微掩膜现象”问题，刻蚀获得12．4μm的陡直SiO2光波导剖面，并将这一刻蚀技术用于阵列
【机 构】
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中国科学院微电子中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2003年11期
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