【摘 要】
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采用标度理论比较了不同速率下微晶硅薄膜的生长模式。结果是:低速时薄膜的生长指数为0.19,高速时薄膜的生长指数为0.61,两者生长机理明显不同。通过蒙特卡洛模拟薄膜生长过
【机 构】
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郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,
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采用标度理论比较了不同速率下微晶硅薄膜的生长模式。结果是:低速时薄膜的生长指数为0.19,高速时薄膜的生长指数为0.61,两者生长机理明显不同。通过蒙特卡洛模拟薄膜生长过程,结果表明:生长基元的粘附系数和扩散能力对不同生长速率下薄膜的生长有较大的影响。
The scaling theory is used to compare the growth modes of microcrystalline silicon thin films at different rates. The result is: the growth index of the film is 0.19 at low speed, and the growth index of the film is 0.61 at high speed, the growth mechanism of the film is obviously different. The results show that the adhesion coefficient and diffusion ability of growth elements have a great influence on the growth of thin films at different growth rates.
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