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通过对碳热还原合成SiC冶炼炉温度场的数值模拟及实验，揭示了冶炼炉内温度场的演变规律。研究表明，碳化硅合成过程中，热量以热源为中心呈辐射状向外传递，其合成温度（1600oC）等温面也逐渐向外扩大，表现为SiC的合成反应温区增大；SiC的大量合成发生在中后期，合成持续，SiC合成温区面积增加缓慢。合成时间过长，会导致已生成的SiC分解，容易形成实际生产中喷炉事故；适当比例的SiC分解，有利于形成高致密的碳化硅产品。