离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huangzhijian2006
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本文详细地分析了离子注入掺铒硅的光致发光谱,有5个发光峰分别位于1.536μm、1.554μm、1.570μm、1.598μm和1.640μm,其中1.536μm发光峰最强.结合背散射谱,认为其有效的发光中心为处于Td对称中心的填隙铒Er3+离子.在Er与O、N、C共掺样品应分别存在Er-O、Er-N和Er-C发光中心,其对应的PL发光峰分别为1.570μm、1.536μm和1.608μm. In this paper, the photoluminescence spectra of erbium-doped silicon by ion implantation are analyzed in detail. The five luminescence peaks are 1.536μm, 1.554μm, 1.570μm, 1.598μm and 1.640μm, respectively, of which 1.536μm Strong. Combined with backscattering spectra, it is considered that the effective luminescent center is the interstitial erbium Er3 + ion located in the symmetry center of Td. The Er-O, Er-N and Er-C luminescent centers should exist respectively in Er and O, N, C co-doped samples. The corresponding PL luminescence peaks are 1.570μm, 1.536μm and 1.608μm respectively.
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