【摘 要】
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温度是功率半导体器件备受关注的问题,不仅直接影响功率半导体器件的电气性能,而且还间接影响功率半导体器件的热学和机械特性。压接型IGBT器件内部是电磁场、温度场和结构场
【机 构】
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华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室,国家电网全球能源互联网研究院
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温度是功率半导体器件备受关注的问题,不仅直接影响功率半导体器件的电气性能,而且还间接影响功率半导体器件的热学和机械特性。压接型IGBT器件内部是电磁场、温度场和结构场的多物理量耦合场,器件内部各组件间的接触热阻是温度场与结构场双向耦合的重要桥梁,也是器件可靠性的重要影响因素。通过单芯片子模组有限元模型分析了各组件间的接触热阻,重点研究了温度对接触热阻的影响,计算了热阻测量前后的接触热阻值,并进行了对比。鉴于目前接触热阻测量方法的局限性,通过测量单个快恢复二极管(FRD)芯片子模组结到壳热阻值与温度的变化关系间接得到接触热阻与温度的关系,并对有限元计算结果进行了验证。
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