论文部分内容阅读
在较低温条件下，采用直流电沉积法在AAO模板中成功制备出了大面积生长均匀的单晶Ag纳米棒阵列。利用扫描电子显微镜（SEM），能谱仪（EDS），透射电子显微镜（TEM），选区电子衍射（SAED）和XRD等分析手段对样品进行形貌表征及成分分析。结果表明，阵列中的Ag纳米棒尺寸均匀，保持着良好的平行度，直径接近200nm，与AAO模板的孔径大小相当，且可以通过控制沉积时间来实现对Ag纳米棒长度的控制。