氧化铁镍薄膜的制备与表征

来源 :光电子.激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cliff800

【摘要】

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首先提出射频反应磁控溅射中薄膜沉积速率同O2流量和溅射功率关系的理论计算模型;其次根据这一理论计算模型,在O2/Ar气氛中,利用射频反应磁控溅射制备氧化铁镍薄膜;最后分别

【作者】

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黄金昭徐征李海玲亢国虎王文静

【机构】

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北京交通大学光电子技术研究所,天津大学博士后流动站,北京市太阳能研究所

【出处】

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光电子.激光

【发表日期】

：

2007年4期

【关键词】

：

氧化铁镍反应磁控溅射 iron-doped nickel oxide reactive magnetron sputtering

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首先提出射频反应磁控溅射中薄膜沉积速率同O2流量和溅射功率关系的理论计算模型;其次根据这一理论计算模型,在O2/Ar气氛中,利用射频反应磁控溅射制备氧化铁镍薄膜;最后分别采用台阶仪、X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、电子扫描镜（SEM）和电化学工作站对薄膜进行了表征,并分析了在制备过程中O2含量、工作压强和溅射功率对薄膜的沉积速率、结构、组分和表面形貌的影响.实验验证了所提出的理论计算模型以及Ni3＋的存在;得到了膜厚与晶型以及工作压强与形貌的关系;电化学测试结果为：在电流密度为8 mA/

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