4GHz 300 mW InGaP/GaAs HBT功率管研制

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通过采用发射极一基极金属自对准、发射极镇流电阻,电镀空气桥等工艺改善了器件的高频特性,提高了器件热稳定性与功率特性。当器件工作在AB类,工作频率为4GHz,集电极偏置电压为3.5V时,尺寸为16×(3μm×15μm)的功率管获得了最大输出功率为24.9dBm(309.0mW)、:功率增益为8.1dB的良好性能。
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