I型和VIII型Sr填充Si基、Ge基、Sn基笼合物电子结构的第一性原理研究

来源 :硅酸盐通报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sunhaifeng112
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第一性原理是根据原子核和电子互相作用的原理及其基本运动规律,运用量子力学原理,从具体要求出发经过一些近似处理后直接求解薛定谔方程的算法。本文采用第一性计算原理计算Ⅰ-型和Ⅷ-型Sr填充Si基、Ge基、Sn基笼合物的结构和性质,研究不同基团对笼合物结构与电传输特性的影响。结果表明:Sr8Ga16Si30、Sr8Ga16Ge30、Sr8Ga16Sn30都是间接带隙半导体,Sr8Ga16Sn30的带隙最小且体模量最大,Sr8Ga16Sn30带边结构的不对称性说明Sr8Ga16Sn30的热电性能性能可能优于Sr8
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