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对直流磁控溅射方法制备Fe—Si化合物的工艺过程进行了研究．首先通过改变溅射气压，溅射功率和Ar气流量，在Si（100）衬底上沉积约100nm纯金属Fe膜，随后在真空退火炉中800℃长时间退火形成Fe—si化合物．由X射线衍射（XRD）对所形成的Fe—Si化合物的物相和晶体结构进行分析，给出了一组最优化的溅射工艺参数：溅射Ar气压1．5Pa，溅射功率100W，溅射Ar气流量20SCCM．