【摘 要】
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采用广义梯度近似（GGA）的密度泛函理论（DFT）并结合平板模型,研究了CH4在清洁Pd（111）及O改性的Pd（111）表面发生C–H键断裂的反应历程.优化了裂解过程中反应物、过渡态和产物的几何构型
【机 构】
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太原理工大学化学化工学院,山西大同大学化学化工学院,南开大学化学学院
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采用广义梯度近似（GGA）的密度泛函理论（DFT）并结合平板模型,研究了CH4在清洁Pd（111）及O改性的Pd（111）表面发生C–H键断裂的反应历程.优化了裂解过程中反应物、过渡态和产物的几何构型,获得了反应路径上各物种的吸附能及反应的活化能.结果表明,CH4采用一个H原子指向表面的构型在Pd（111）表面的顶位吸附,CH3的最稳定的吸附位置为顶位,OH,O和H的最稳定吸附位置均为面心立方.CH4在清洁Pd（111）表面裂解的活化能为0.97eV,低于它在O原子改性（O没有参与反应）的Pd（111）表
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