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铁电氧化铪锆是一种性能优良的铁电存储介质，可用于三维高密度集成存储器阵列的存储介质。实验采用磁控溅射法制备了锆含量占比为0.134和0.156的TiN/HfxZr1-xO2/TiN结构的薄膜器件，并对器件进行了不同条件下的退火实验。实验研究了氧化铪锆器件的电流、极化和循环特性，以及特性随退火温度和退火时间改变的变化规律，并结合微观结构表征手段对器件特性随退火条件变化的规律做出了解释。在此基础上，总结出溅射法制备氧化铪锆的适用退火条件。当退火温度低于氧化铪的居里温度，退火后的器件仍表现出顺电性而不具有铁电性。采用磁控法制备出的氧化铪锆器件在氧气中快速退火的最佳退火温度为600 ℃,最佳退火时间为50 s。在退火过程中，适当地延长退火时间可以提高器件性能。