【摘 要】
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采用改进的垂直布里奇曼生长法生长CdZnTe（CZT）单晶,并在晶体生长后期采取长时间的原位恒温退火.采用红外透射显微镜、I-V特性曲线以及多道能谱仪测试经过原位退火后的晶体内部
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采用改进的垂直布里奇曼生长法生长CdZnTe（CZT）单晶,并在晶体生长后期采取长时间的原位恒温退火.采用红外透射显微镜、I-V特性曲线以及多道能谱仪测试经过原位退火后的晶体内部Te夹杂相分布、电阻率大小以及能谱响应.结果表明,原位退火可以大幅降低CZT晶体内部大尺寸Te夹杂相的密度,晶体内绝大部分的Te夹杂都集中在5 μm以内.此外,原位退火后的晶体电阻率从4.54×10^8 Ω.cm上升至3.73× 10^10 Ω·cm原位退火后的CZT晶体对^241Am@59.5 ke
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