高纯细晶Al2O3陶瓷金属化工艺研究

来源 :全国电子陶瓷、陶瓷——金属封接第十四届会议暨真空电子与专用金属材料分会2014年年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hotter_day
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本文主要从金属化配方、涂膏方法、金属化层的厚度、金属化温度和镍层的厚度等工艺角度对高纯、细晶AlO3陶瓷的封接性能进行研究和分析.其结果显示,采用高Mo含量的金属化膏剂、丝网印刷的涂膏方法、金属化层的厚度约为20μm、在1450℃下烧结,镍层的厚度5μm左右时,其平均抗拉强度可达143MPa,超出行业标准50%以上,其显微结构更加连贯、均匀、致密.
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