【摘 要】
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用脉冲激光沉积（PLD）法在LaAlO3单晶衬底上制备了VIA族非金属元素Te掺杂的La0．82Te0．18MnO3（LTMO）薄膜。X射线衍射分析表明，薄膜具有钙钛矿赝立方结构，且沿（012）方向择优生长；电阻-温度
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用脉冲激光沉积（PLD）法在LaAlO3单晶衬底上制备了VIA族非金属元素Te掺杂的La0．82Te0．18MnO3（LTMO）薄膜。X射线衍射分析表明，薄膜具有钙钛矿赝立方结构，且沿（012）方向择优生长；电阻-温度关系显示，该材料存在金属-绝缘体转变特性和庞磁电阻（CMR）效应；在0．7T的磁场作用下，薄膜的磁电阻最大值为30．6％，对应的温度在263K。而室温（303K）磁电阻值为4．8％；拟合分析表明，薄膜在低温区是单磁子散射，在高温区满足小极化子输运模型。在波长为532nm的绿激光作用下，在25
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